飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristors bt151 序列
图.1. 最大 在-状态 消耗, p
tot
, 相比
平均 在-状态 电流, i
t(av)
, 在哪里
一个 = 表格 因素 = i
t(rms)
/ i
t(av)
.
图.2. 最大 容许的 非-repetitive 顶峰
在-状态 电流 i
TSM
, 相比 脉冲波 宽度 t
p
, 为
sinusoidal 电流, t
p
≤
10ms.
图.3. 最大 容许的 rms 电流 i
t(rms)
,
相比 挂载 根基 温度 t
mb
.
图.4. 最大 容许的 非-repetitive 顶峰
在-状态 电流 i
TSM
, 相比 号码 的 循环, 为
sinusoidal 电流, f = 50 hz.
图.5. 最大 容许的 repetitive rms 在-状态
电流 i
t(rms)
, 相比 surge 持续时间, 为 sinusoidal
电流, f = 50 hz; t
mb
≤
109˚c.
图.6. normalised 门 触发 电压
V
GT
(t
j
)/ v
GT
(25˚c), 相比 接合面 温度 t
j
.
012345678
0
5
10
15
一个 = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
它(av) / 一个
ptot / w tmb(最大值) / c
125
118.5
112
105.5
传导
角度
表格
因素
degrees
30
60
90
120
180
4
2.8
2.2
1.9
1.57
一个
1 10 100 1000
0
20
40
60
80
100
120
号码 的 half 循环 在 50hz
itsm / 一个
T
I
TSM
时间
I
tj 最初的 = 25 c 最大值
T
10
100
1000
10us 100us 1ms
10ms
t / s
itsm / 一个
T
I
TSM
时间
I
tj 最初的 = 25 c 最大值
T
di /dt 限制
T
0.01 0.1 1 10
0
5
10
15
20
25
surge 持续时间 / s
它(rms) / 一个
-50 0 50 100 150
0
5
10
15
BT151
tmb / c
它(rms) / 一个
109 c
-50 0 50 100 150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
tj / c
vgt(tj)
vgt(25 c)
六月 1999 3 rev 1.300
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