飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristors bt152 序列
一般 描述 快 涉及 数据
Glass 钝化的 thyristors 在 一个 塑料
标识 参数 最大值 最大值 最大值 单位
封套, 将 为 使用 在
产品 需要 高
bt152- 400R 600R 800R
双向的 blocking 电压 V
DRM
, repetitive 顶峰 止-状态 450 650 800 V
能力 和 高 热的 cycling V
RRM
电压
效能. 典型 产品 I
t(av)
平均 在-状态 电流 13 13 13 一个
包含 发动机 控制, 工业的 和 I
t(rms)
rms 在-状态 电流 20 20 20 一个
domestic lighting, 加热 和 静态的 I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 200 200 200 一个
切换. 电流
固定 - to220ab 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 cathode
2 anode
3 门
tab anode
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
-400r -600r -800r
V
DRM
repetitive 顶峰 止-状态 - 450
1
650
1
800 V
电压
I
t(av)
平均 在-状态 电流 half sine 波; t
mb
≤
103 ˚c - 13 一个
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 所有 传导 angles - 20 一个
I
TSM
非-repetitive 顶峰 half sine 波; t
j
= 25 ˚c 较早的 至
在-状态 电流 surge
t = 10 ms - 200 一个
t = 8.3 ms - 220 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 200 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 I
TM
= 50 一个; i
G
= 0.2 一个; - 200 一个/
µ
s
在-状态 电流 之后 dI
G
/dt = 0.2 一个/
µ
s
triggering
I
GM
顶峰 门 电流 - 5 一个
V
GM
顶峰 门 电压 - 5 V
V
RGM
顶峰 反转 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 20 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.5 W
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 - 125 ˚C
温度
ak
g
123
tab
1
虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800v 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 thyristor 将
转变 至 这 在-状态. 这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
march 1997 1 rev 1.200
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