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资料编号:1082772
 
资料名称:BFG590X
 
文件大小: 89251K
   
说明
 
介绍:
NPN 5 GHz wideband transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1998 Oct 02 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 5 ghz wideband 晶体管 bfg590; bfg590/x
特性
高 电源 增益
低 噪音 图示
高 转变 频率
金 敷金属 确保 极好的 可靠性.
产品
matv/catv 放大器 和 rf communications
subscriber 设备 在 这 ghz 范围
ideally 合适的 为 使用 在 类-一个, (一个)b 和 c 放大器
和 也 搏动 或者 持续的 驱动.
描述
npn 硅 planar 外延的 晶体管 在 一个 4-管脚
双-发射级 sot143b 塑料 包装.
标记
类型 号码 代号
BFG590 N38
bfg590/x N44
固定
管脚
描述
BFG590 bfg590/x
1 集电级 集电级
2 根基 发射级
3 发射级 根基
4 发射级 发射级
图.1 simplified 外形 sot143b.
handbook, 2 columns
顶 视图
MSB014
12
34
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
15 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
200 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
60
°
C
−−
400 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 35 毫安; v
CE
=8V 5090280
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
=8v; f=1mhz
0.7
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 80 毫安; v
CE
=4v; f=1ghz
5
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益 I
C
= 80 毫安; v
CE
=4v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
13
dB
|S
21
|
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 80 毫安; v
CE
=4v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
11
dB
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