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1999 Apr 08 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 中等 电源 晶体管 BC869
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的 sided 铜, tinplated, 挂载 垫子 为 集电级 6 cm
2
.
为 其它 挂载 情况, 看
“thermal 仔细考虑 为 sot89 在 这 一般 部分 的 有关联的 handbook”.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 93 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 13 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
25 V
−−−
100 nA
I
E
= 0; v
CB
=
−
25 v; t
j
= 150
°
C
−−−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
5 毫安; v
CE
=
−
10 v; 看 图.2 50
−−
I
C
=
−
500 毫安; v
CE
=
−
1 v; 看 图.2 100
−
375
I
C
=
−
1 一个; v
CE
=
−
1 v; 看 图.2 60
−−
直流 电流 增益 I
C
=
−
500 毫安; v
CE
=
−
1 v; 看 图.2
bc869-16 100
−
250
bc869-25 160
−
375
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
1 一个; i
B
=
−
100 毫安
−−−
500 mV
V
是
根基-发射级 电压 I
C
=
−
5 毫安; v
CE
=
−
10 V
−−
620
−
mV
I
C
=
−
1 一个; v
CE
=
−
1V
−−−
1V
f
T
转变 频率 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5 v; f = 100 MHz 40
−−
MHz

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1999 Apr 08 3 飞利浦半导体产品规格 pnp 中等电源晶体管 BC869 热的特性便条 1. 设备挂载在一个打印-电路板, 单独的 sided 铜, tinplated, 挂载垫子为集电级 6 cm 2 . 为其它挂载情况, 看 “thermal 仔细考虑为 sot89 在这一般部分的有关联的 handbook”. 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的便条 1 93 k/w R th j-s 热的阻抗从接合面至焊接要点 13 k/w 标识参数情况最小值典型值最大值单位 I CBO 集电级截-止电流 I E = 0; v CB = − 25 V −−− 100 nA I E = 0; v CB = − 25 v; t j = 150 ° C −−− 10 µ 一个 I EBO 发射级截-止电流 I C = 0; v EB = − 5V −−− 100 nA h FE 直流电流增益 I C = − 5 毫安; v CE = − 10 v; 看图.2 50 −− I C = − 500 毫安; v CE = − 1 v; 看图.2 100 − 375 I C = − 1 一个; v CE = − 1 v; 看图.2 60 −− 直流电流增益 I C = − 500 毫安; v CE = − 1 v; 看图.2 bc869-16 100 − 250 bc869-25 160 − 375 V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 1 一个; i B = − 100 毫安 −−− 500 mV V 是根基-发射级电压 I C = − 5 毫安; v CE = − 10 V −− 620 − mV I C = − 1 一个; v CE = − 1V −−− 1V f T 转变频率 I C = − 10 毫安; v CE = − 5 v; f = 100 MHz 40 −− MHz

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