2002 六月 06 2
飞利浦 半导体 产品 规格
总线 缓存区/线条 驱动器; 3-状态 74ahc1g125; 74ahct1g125
特性
•
对称的 输出 阻抗
•
高 噪音 免除
•
静电释放 保护:
– HBM eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
– MM eia/jesd22-a115-一个 超过 200 V
– CDM eia/jesd22-c101 超过 1000 v.
•
低 电源 消耗
•
保持平衡 传播 延迟
•
非常 小 5-管脚 包装
•
输出 能力: 标准
•
指定 从
−
40 至 +125
°
c.
描述
这 74ahc1g/ahct1g125 是 一个 高-速 si-门
cmos 设备.
这 74ahc1g/ahct1g125 提供 一个 非-反相的
缓存区/线条 驱动器 和 3-状态 输出. 这 3-状态 输出 是
控制 用 这 输出 使能 输入 (oe). 一个 高 在 OE
导致 这 输出 至 假设 一个 高-阻抗
止-状态.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
3.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
函数 表格
看 便条 1.
便条
1. H = 高 电压 水平的;
L = 低 电压 水平的;
X = don’t 小心;
Z = 高-阻抗 止-状态.
标识 参数 情况
典型
单位
AHC1G AHCT1G
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 一个 至 Y C
L
= 15 pf; v
CC
= 5 V 3.4 3.4 ns
C
I
输入 电容 1.5 1.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 C
L
= 50 pf; f = 1 mhz; 注释 1 和 2 9 11 pF
输入 输出
OE 一个 Y
LLL
LHH
HXZ
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