1999 Sep 27 2
飞利浦 半导体 产品 规格
四方形 缓存区/线条 驱动器; 3-状态 74ahc125; 74ahct125
特性
•
静电释放 保护:
HBM eia/jesd22-a114-一个
超过 2000 V
MM eia/jesd22-a115-一个
超过 200 V
CDM eia/jesd22-c101
超过 1000 V
•
保持平衡 传播 延迟
•
所有 输入 有 施密特-触发
actions
•
输入 accepts 电压 高等级的 比
V
CC
•
为 ahc 仅有的:
运作 和 cmos 输入 水平
•
为 ahct 仅有的:
运作 和 TTL 输入 水平
•
指定 从
−
40 至 +85 和 +125
°
c.
描述
这 74ahc/ahct125 是
高-速 si-门 cmos 设备
和 是 管脚 兼容 和 低
电源 肖特基 ttl (lsttl). 它们
是 指定 在 遵从 和
电子元件工业联合会 标准 非. 7a.
这 74ahc/ahct125 是 四
非-反相的 缓存区/线条 驱动器 和
3-状态 输出. 这 3-状态 输出
(ny) 是 控制 用 这 输出
使能 输入 (noe). 一个 高 在 n
导致 这 输出 至 假设 一个
高-阻抗 止-状态.
这 ‘125’ 是 完全同样的 至 这 ‘126’ 但是
有 起作用的 低 使能 输入.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
3.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
函数 表格
看 便条 1.
便条
1. H = 高 电压 水平的;
L = 低 电压 水平的;
X = don’t 小心;
Z = 高-阻抗 止-状态.
标识 参数 情况
典型
单位
AHC AHCT
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟
nA 至 nY
C
L
= 15 pf;
V
CC
=5V
3.0 3.0 ns
C
I
输入 电容 V
I
=V
CC
或者 地 3.0 3.0 pF
C
O
输出 电容 4.0 4.0 pF
C
PD
电源 消耗
电容
C
L
= 50 pf;
f = 1 mhz;
注释 1 和 2
10 12 pF
输入 输出
n
OE nA nY
LLL
LHH
HXZ
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