2002 二月 04 6
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 一般 目的 晶体管 bc846w; bc847w; bc848w
handbook, halfpage
MGT727
10
−
1
11010
2
10
3
I
C
(毫安)
0
600
500
400
300
200
100
h
FE
(1)
(2)
(3)
图.6 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
bc847bw;
V
CE
=5v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
0
1200
1000
800
600
400
200
MGT728
10
−
2
10
−
1
11010
2
10
3
I
C
(毫安)
V
是
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.7 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
bc847bw;
V
CE
=5v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.
handbook, halfpage
10
4
10
3
10
2
10
MGT729
10
−
1
11010
2
10
3
I
C
(毫安)
V
CEsat
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.8 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
bc847bw;
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
MGT730
10
−
1
11010
2
10
3
I
C
(毫安)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.9 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
bc847bw;
I
C
/i
B
= 10.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.