2003 二月 12 10
飞利浦 半导体 初步的 规格
70 w 高 efficiency 电源 amplifier
和 diagnostic facility
tda1562q; tda1562st;
TDA1562SD
质量 规格
质量 在 一致 和
“snw-fq-611d”
, 如果 这个 类型 是 使用 作 一个 音频的 放大器.
热的 特性
直流 特性
V
P
= 14.4 v; r
L
=4
Ω
; t
amb
=25
°
c; 度量 在 一致 和 图.9; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th(j-c)
热的 阻抗 从 接合面 至 情况 1.5 k/w
R
th(j-一个)
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气 40 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 v
P1
和 v
P2
V
P
供应 电压 8 14.4 18 V
V
p(th+)
供应 门槛 电压 沉默的
→
在 7
−
9V
V
p(th
−)
供应 门槛 电压 在
→
沉默的 7
−
9V
V
p(h1)
hysteresis
(v
th+
−
V
th
−
)
−
200
−
mV
I
q
安静的 电流 在 和 沉默的;
R
L
= 打开 电路
−
110 150 毫安
I
stb
备用物品 电流 备用物品
−
350
µ
一个
amplifier 输出 out+ 和 输出
−
V
O
输出 电压 在 和 沉默的
−
6.5
−
V
V
OO
输出 补偿 电压 在 和 沉默的
−−
100 mV
∆
V
OO
delta 输出 补偿 电压 在
↔
沉默的
−−
30 mV
模式 选择 输入 模式
V
I
输入 电压 0
−
V
P
V
I
I
输入 电流 V
模式
= 14.4 V
−
15 20
µ
一个
V
th1+
门槛 电压 1+ 备用物品
→
沉默的 1
−
2.2 V
V
th1
−
门槛 电压 1
−
沉默的
→
备用物品 0.9
−
2V
V
msH1
hysteresis
(v
th1+
−
V
th1
−
)
−
200
−
mV
V
th2+
门槛 电压 2+ 沉默的
→
在 3.3
−
4.2 V
V
th2
−
门槛 电压 2
−
在
→
沉默的 3.3
−
4V
V
msH2
hysteresis
(v
th2+
−
V
th2
−
)
−
200
−
mV
状态 i/o stat
P
在
S TAT
作 输入
V
st
输入 电压 0
−
V
P
V
I
st(h)
高-水平的 输入 电流 V
S TAT
= 14.4 V
−
3.5 4.5 毫安
I
st(l)
低-水平的 输入 电流 V
S TAT
=0V
−−
350
−
400
µ
一个
V
th1+
门槛 电压 1+ 快 沉默的
→
类-b
−−
2V
V
th1
−
门槛 电压 1
−
类-b
→
快 沉默的 1
−−
V
V
stH1
hysteresis
(v
th1+
−
V
th1
−
)
−
200
−
mV
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