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2003 三月 18 4
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 切换 晶体管 MMBT3906
handbook, halfpage
0
400
600
200
MHC459
−
10
−
1
−
1
−
10
I
C
(毫安)
h
FE
−
10
2
−
10
3
(1)
(3)
(2)
图.2  直流 电流 增益; 典型 值.
V
CE
=
−
1v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
0
−
10
−
250
0
−
50
−
100
−
150
−
200
−
2
V
CE
(v)
I
C
(毫安)
−
4
−
6
−
8
MHC460
(1)
(2)(3)
(9)
(7)
(10)
(8)
(6)
(5)
(4)
图.3 集电级 电流 作 一个 函数 的
集电级-发射级 电压.
(1) I
B
=
−
1.5 毫安.
(2) I
B
=
−
1.35 毫安.
(3) I
B
=
−
1.2 毫安.
(4) I
B
=
−
1.05 毫安.
(5) I
B
=
−
0.9 毫安.
(6) I
B
=
−
0.75 毫安.
(7) I
B
=
−
0.6 毫安.
(8) I
B
=
−
0.45 毫安.
(9) I
B
=
−
0.3 毫安.
(10) I
B
=
−
0.15 毫安.
T
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
−
200
−
1200
−
400
−
600
−
800
−
1000
MHC461
−
1
−
10
−
1
I
C
(毫安)
V
是
(mv)
−
10
−
10
2
−
10
3
(3)
(2)
(1)
图.4 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流.
V
CE
=
−
1v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.
handbook, halfpage
−
200
−
1200
−
400
−
600
−
800
−
1000
MHC462
−
1
−
10
−
1
I
C
(毫安)
V
BEsat
(mv)
−
10
−
10
2
−
10
3
(1)
(3)
(2)
图.5 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流.
I
C
/i
B
= 10.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.

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2003 三月 18 4 飞利浦半导体产品规格 pnp 切换晶体管 MMBT3906 handbook, halfpage 0 400 600 200 MHC459 − 10 − 1 − 1 − 10 I C (毫安) h FE − 10 2 − 10 3 (1) (3) (2) 图.2 直流电流增益; 典型值. V CE = − 1v. (1) T amb = 150 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 55 ° c. handbook, halfpage 0 − 10 − 250 0 − 50 − 100 − 150 − 200 − 2 V CE (v) I C (毫安) − 4 − 6 − 8 MHC460 (1) (2)(3) (9) (7) (10) (8) (6) (5) (4) 图.3 集电级电流作一个函数的集电级-发射级电压. (1) I B = − 1.5 毫安. (2) I B = − 1.35 毫安. (3) I B = − 1.2 毫安. (4) I B = − 1.05 毫安. (5) I B = − 0.9 毫安. (6) I B = − 0.75 毫安. (7) I B = − 0.6 毫安. (8) I B = − 0.45 毫安. (9) I B = − 0.3 毫安. (10) I B = − 0.15 毫安. T amb =25 ° c. handbook, halfpage − 200 − 1200 − 400 − 600 − 800 − 1000 MHC461 − 1 − 10 − 1 I C (毫安) V 是 (mv) − 10 − 10 2 − 10 3 (3) (2) (1) 图.4 根基-发射级电压作一个函数的集电级电流. V CE = − 1v. (1) T amb = − 55 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 150 ° c. handbook, halfpage − 200 − 1200 − 400 − 600 − 800 − 1000 MHC462 − 1 − 10 − 1 I C (毫安) V BEsat (mv) − 10 − 10 2 − 10 3 (1) (3) (2) 图.5 根基-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流. I C /i B = 10. (1) T amb = − 55 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 150 ° c.

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