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资料编号:1083513
 
资料名称:MPSA44
 
文件大小: 48836K
   
说明
 
介绍:
NPN high-voltage transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 27 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 MPSA44
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 200 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 400 V
100 nA
I
E
= 0; v
CB
= 400 v; t
j
= 150
°
C
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=4V
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 毫安; v
CE
=10V 40
I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 V 50 200
I
C
= 50 毫安; v
CE
= 10 v; 便条 1 45
I
C
= 100 毫安; v
CE
= 10 v; 便条 1 40
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 1 毫安; i
B
= 0.1 毫安
400 mV
I
C
= 10 毫安; i
B
=1mA
500 mV
I
C
= 50 毫安; i
B
= 5 毫安; 便条 1
750 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 1 毫安; 便条 1
850 mV
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=20v; f=1mhz
7pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
180 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 v; f = 100 MHz 20
MHz
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