2000 Apr 11 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 切换 晶体管 MMBT2222A
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=60V
−
10 nA
I
E
= 0; v
CB
=60v; t
j
= 125
°
C
−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=5V
−
10 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 0.1 毫安; v
CE
=10V 35
−
I
C
= 1 毫安; v
CE
=10V 50
−
I
C
= 10 毫安; v
CE
=10V 75
−
I
C
= 10 毫安; v
CE
=10v;
T
amb
=
−
55
°
C
35
−
I
C
= 150 毫安; v
CE
= 10 V 100 300
I
C
= 150 毫安; v
CE
=1V 50
−
I
C
= 500 毫安; v
CE
=10V 40
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 150 毫安; i
B
= 15 毫安; 便条 1
−
300 mV
I
C
= 500 毫安; i
B
= 50 毫安; 便条 1
−
1V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 150 毫安; i
B
= 15 毫安; 便条 1 0.6 1.2 V
I
C
= 500 毫安; i
B
= 50 毫安; 便条 1
−
2V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=10v;
f = 1 MHz
−
8pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 500 mv;
f = 1 MHz
−
25
f
T
转变 频率 I
C
= 20 毫安; v
CE
=20v;
f = 100 MHz
300
−
MHz
F 噪音 figure I
C
= 100
µ
一个; v
CE
=5v;
R
S
=1k
Ω
; f = 1 kHz
−
4dB
切换 时间 (在 10% 和 90% 水平);
(看 图.2)
t
在
转变-在 时间 I
Con
= 150 毫安; i
Bon
=15ma;
I
Boff
=
−
15 毫安
−
35 ns
t
d
延迟 时间
−
15 ns
t
r
上升 时间
−
20 ns
t
止
转变-止 时间
−
250 ns
t
s
存储 时间
−
200 ns
t
f
下降 时间
−
60 ns
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