2
晶体管
2SD2185
P
C
— ta I
C
— v
CE
V
ce(sat)
— i
C
V
是(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
打印 circut 板: 铜
foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和
这 板 厚度 的 1.7mm
为 这 集电级 portion.
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012108264
0
120
100
80
60
40
20
Ta=25˚C
50
µ
一个
350
µ
一个
300
µ
一个
250
µ
一个
200
µ
一个
150
µ
一个
100
µ
一个
I
B
=400
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
I
C
/i
B
=50
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=50
Ta=–25˚C
25˚C
100˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=2V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –3 –10 –30 –100
0
240
200
160
120
80
40
V
CB
=10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
60
50
40
30
20
10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)