2
晶体管
2sd0968, 2sd0968a
P
C
—
Ta I
C
—
V
CE
I
C
—
I
B
V
ce(sat)
—
I
C
V
是(sat)
—
I
C
h
FE
—
I
C
f
T
—
I
E
C
ob
—
V
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
打印 circut 板: 铜
foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和
这 板 厚度 的 1.7mm
为 这 集电级 portion.
包围的 温度 ta
(
˚
C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012108264
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25
˚
C
I
B
=20mA
8mA
10mA
12mA
18mA
16mA
14mA
6mA
4mA
2mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
015936 12
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE
=10V
Ta=25
˚
C
根基 电流 i
B
(
毫安
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
1 10 100 10003 30 300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/i
B
=10
25
˚
C
–
25
˚
C
Ta=75
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
1 10 100 10003 30 300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=
–
25
˚
C
25
˚
C
75
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
1 10 100 10003 30 300
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=10V
Ta=75
˚
C
25
˚
C
–
25
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
0
200
160
120
80
40
V
CB
=10V
Ta=25
˚
C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
50
40
30
20
10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25
˚
C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
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