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资料编号:1084144
 
资料名称:2SD966
 
文件大小: 63310K
   
说明
 
介绍:
Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
晶体管
2SD0966
P
C
Ta I
C
V
CE
I
C
V
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
包围的 温度 ta
(
˚
C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 2.42.01.60.4 1.20.8
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Ta=25
˚
C
I
B
=7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0 2.01.60.4 1.20.8
0
6
5
4
3
2
1
V
CE
=2V
Ta=75
˚
C
25
˚
C
25
˚
C
根基 至 发射级 电压 v
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/i
B
=30
Ta=75
˚
C
25
˚
C
25
˚
C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0
600
500
400
300
200
100
Ta=75
˚
C
25
˚
C
25
˚
C
V
CE
=2V
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0
400
300
100
250
350
200
50
150
V
CB
=6V
Ta=25
˚
C
发射级 电流 i
E
(
一个
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
100
80
60
40
20
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25
˚
C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
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