1
晶体管
2SD0965
(2sd965)
硅 npn 外延的 planer 类型
为 低-频率 电源 放大器
为 stroboscope
■
特性
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
satisfactory 运作 performances 在 高 效率 和 这
低-电压 电源 供应.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:发射级
2:集电级
3:根基
电子元件工业联合会:to–92
eiaj:sc–43a
5.0
±
0.2 4.0
±
0.2
5.1
±
0.213.5
±
0.5
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
1.27 1.27
2.3
±
0.2
2.54
±
0.15
213
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
40
20
7
8
5
0.75
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
V
ce(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= 10v, i
E
= 0
V
CE
= 10v, i
B
= 0
V
EB
= 7v, i
C
= 0
I
C
= 1ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 2v, i
C
= 0.5a
*2
V
CE
= 2v, i
C
= 2a
*2
I
C
= 3a, i
B
= 0.1a
*2
V
CB
= 6v, i
E
= –50ma, f = 200mhz
V
CB
= 20v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
20
7
230
150
典型值
150
最大值
0.1
1.0
0.1
600
1
50
单位
µ
一个
µ
一个
µ
一个
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
分级 分类
分级 Q R
h
FE1
230 ~ 380 340 ~ 600
*2
脉冲波 度量
便条.) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
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