2
晶体管
2SD0601A
P
C
—
Ta I
C
—
V
CE
I
B
—
V
是
I
C
—
V
是
I
C
—
I
B
V
ce(sat)
—
I
C
h
FE
—
I
C
f
T
—
I
E
NV
—
I
C
0 16040 12080 14020 10060
0
240
200
160
120
80
40
包围的 温度 ta
(
˚
C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
0108264
0
60
50
40
30
20
10
Ta=25
˚
C
I
B
=160
µ
一个
40
µ
一个
20
µ
一个
60
µ
一个
80
µ
一个
140
µ
一个
120
µ
一个
100
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 1.00.80.2 0.60.4
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CE
=10V
Ta=25
˚
C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
0 2.01.60.4 1.20.8
0
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
Ta=75
˚
C
–
25
˚
C
25
˚
C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 1000800200 600400
0
240
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
Ta=25
˚
C
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
25
˚
C
–
25
˚
C
Ta=75
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=10V
Ta=75
˚
C
25
˚
C
–
25
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–
0.1
–
1
–
10
–
100
–
0.3
–
3
–
30
0
300
240
120
180
60
V
CB
=10V
Ta=25
˚
C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
10 30 100 300 1000
0
240
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
G
V
=80dB
Function=FLAT
Ta=25
˚
C
4.7k
Ω
R
g
=100k
Ω
22k
Ω
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
噪音 电压 nv
(
mV
)
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