电源 晶体管
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2SC35072SC3507
2SC35072SC3507
2SC3507
硅 npn triple diffusion planar 类型
为 高 损坏 电压 高-速 切换
■
特性
•
高-速 切换
•
高 集电级 至 根基 电压 v
CBO
•
satisfactory 线性 的 向前 电流 转移 比率 h
FE
•
全部-包装 包装 这个 能 是 安装 至 这 热温 下沉 和 一个
screw
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
单位: mm
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
1 000 V
集电级 至 发射级 电压 V
CES
1 000 V
V
CEO
800 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7V
顶峰 集电级 电流 I
CP
10 一个
集电级 电流 I
C
5A
根基 电流 I
B
3A
集电级 电源
T
C
= 25
°
CP
C
80 W
消耗
T
一个
= 25
°
C3
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
= 1 000 v, i
E
= 0 50
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= 7 v, i
C
= 0 50
µ
一个
集电级 至 发射级 电压
*
V
ceo(sus)
I
C
= 0.5 一个, l = 50 mh 800 V
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= 5 v, i
C
= 3 一个 6
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 3 一个, i
B
= 0.6 一个 1.5 V
根基 至 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
I
C
= 3 一个, i
B
= 0.6 一个 1.5 V
转变 频率 f
T
V
CE
= 5 v, i
C
= 0.5 一个, f = 1 mhz 6 MHz
转变-在 时间 t
在
I
C
= 3 一个, i
B1
= 0.6 一个, i
B2
=
−
1.2 一个, 1
µ
s
存储 时间 t
stg
V
CC
= 250 v 2.5
µ
s
下降 时间 t
f
0.5
µ
s
15.0
±0.3
5.0
±0.2
11.0
±0.2
2.0
±0.2
2.0
±0.1
0.6
±0.2
1.1
±0.1
5.45
±0.3
10.9
±0.5
123
21.0
±0.5
16.2
±0.5
焊盘 插件
(3.5)
15.0
±0.2
(0.7)
φ
3.2
±0.1
(3.2)
X
l 50mh
15V
1
Ω
Y
G
6V
120
Ω
50/60hz
mercury 接转
便条)
*
: v
ceo(sus)
测试 电路
1 : 根基
2 : 集电级
3 : 发射级
eiaj : sc-96
顶-3f-一个 包装
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