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晶体管
2sd1820, 2sd1820a
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— i
B
V
ce(sat)
— i
C
V
是(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
V
CER
— r
是
0 16040 12080 14020 10060
0
240
200
160
120
80
40
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
020164128
0
800
600
200
500
700
400
100
300
Ta=25˚C
I
B
=10mA
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0108264
0
800
600
200
500
700
400
100
300
V
CE
=10V
Ta=25˚C
根基 电流 i
B
(
毫安
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
25˚C
–25˚C
Ta=75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=–25˚C
25˚C
75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –3 –10 –30 –100
0
240
200
160
120
80
40
V
CB
=10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
12
10
8
6
4
2
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
1 10 100 10003 30 300
0
120
100
80
60
40
20
I
C
=2mA
Ta=25˚C
2SD1820A
2SD1820
根基 至 发射级 阻抗 r
是
(
k
Ω
)
集电级 至 发射级 电压 v
CER
(
V
)
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