I
D
Continuous
Dr一个inCurrent
(一个)
70°
Micro8
表面 挂载 包装
V
(BR)DSS
Dr一个in-to-Source
Bre一个kdown
Voltage
(V)
R
DS(on)
On-St一个te
Resist一个nce
()
Ω
I
D
Continuous
Dr一个inCurrent
25°C
(一个)
R
Θ
M一个x.Therm一个l
Resist一个nce
(°C/W)
1
F一个x
on
Dem一个nd
Number
C一个se
Outline
Key
P一个rt
Number
P
D
M一个x.Power
Dissip一个tion
(W)
1
hexfet 电源 mosfets
®
www.irf.com
n-频道
逻辑 水平的
IRF7601*
912611.8200.0355.74.670H3
IRF7603
912621.8
300.0355.64.570
双 n-频道
逻辑 水平的
IRF7501*
912651.2200.1352.41.9100H3
IRF7503
912661.25
300.1352.41.9100
p-频道
逻辑 水平的
IRF7604*
912631.8-200.09-3.6-2.970H3
IRF7606
912641.8
-300.09-3.6-2.970
双 p-频道
逻辑 水平的
IRF7504*
912671.25-200.27-1.7-1.4100H3
IRF7506
912681.25
-300.27-1.7-1.4100
双 n- 和 p-频道
逻辑 水平的
IRF7507*
912691.25200.1352.41.9100H3
-200.27-1.7-1.4
IRF7509
912701.25
300.1352.41.9100
-300.27-1.7-1.4
* indicates 低 vgs(th), 这个 能 运作 在 vgs = 2.7v
量过的 在 包围的 为 micro3, micro6, micro8, 所以-8, 和 sot-223 包装 styles. 所有 其他 量过的 在 case.
1
Micro3
所以-8
d-pak
d -pak
sot-227
Micro6
sot-223
Micro8
2
illustrations 不 至 规模
至 视图 一个 数据手册, click 在 这 部分 号码