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资料编号:1086427
 
资料名称:IRF6216
 
文件大小: 105974K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF6216
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 2.7
––– –––
SV
DS
= -50v, i
D
= -1.3a
Q
g
总的 门 承担
–––
33 49 i
D
= -1.3a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
7.2 11 nC V
DS
= -120v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
15 23 V
GS
= -10v,
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
18
–––
V
DD
= -75v
t
r
上升 时间
–––
15
–––
I
D
= -1.3a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
33
–––
R
G
= 6.5
t
f
下降 时间
–––
26
–––
V
GS
= -10v

C
iss
输入 电容
–––
1280
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
220
–––
V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
53
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
1290
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= -1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
99
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= -120v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
220
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 -120v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
200 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
-4.0 一个
avalanche 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
-1.6 V T
J
= 25
°
c, i
S
= -1.3a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间
–––
80 120 nS T
J
= 25
°
c, i
F
= -1.3a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
310 460 nC di/dt = -100a/µs
二极管 特性
-2.2
-19
一个
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -150
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= -250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
-0.17
–––
v/
°
c 涉及 至 25
°
c, i
D
= -1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– –––
0.240
V
GS
= -10v, i
D
= -1.3a

V
gs(th)
门 门槛 电压 -3.0
–––
-5.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
––– –––
-25
µA
V
DS
= -150v, v
GS
= 0v
––– –––
-250 V
DS
= -120v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
100
nA
V
GS
= 20v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
S
D
G
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