HEXFET
®
电源 场效应晶体管
6/26/00
IRF7324
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
热的 阻抗
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
62.5 °c/w
参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 -20 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -9.0
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -7.1 一个
I
DM
搏动 流 电流
-71
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
2.0 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大 电源 消耗
1.3 W
直线的 减额 因素 16 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 v
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.018
Ω
新 trench hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至
达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围.
这个 益处, 联合的 和 这 加固 设备 设计
那 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为,
提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的 和
可依靠的 设备 为 使用 在 电池 和 加载 管理
产品.
●
trench 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
双 p-频道 场效应晶体管
●
低 profile (<1.1mm)
●
有 在 录音带 &放大; 卷轴
●
2.5v 评估
描述
pd -93799a
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
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所以-8
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