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资料编号:1086448
 
资料名称:IRF7342D2
 
文件大小: 128700K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET & Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7342D2
www.irf.com 9
图.21
- 最大 容许的 包围的
温度 vs. 向前 电流
图 20.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
肖特基 二极管 特性
便条 (4)
formula 使用: t
C
= t
J
- (pd + pd
REV
) x r
thJA
;
pd = 向前 电源 丧失 = i
f(av)
x v
FM
@ (i
f(av)
/
d) ;
Pd
REV
= inverse 电源 丧失 = v
R1
x i
R
(1 - d); i
R
@ v
R1
= 80% 评估 v
R
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 d =t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
0 1 2 3 4 5 6
平均 向前 电流 - i
f(av)
(一个)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
容许的 包围的 temprature - (
°
c)
S
quare 波 ( d = 0.50)
80 % 评估 v
R
应用
直流
看 便条 (4)
R
thJA
= 62.5
°
c/w
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