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IRFP140N
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图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
400
800
1200
1600
2000
2400
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V,         f =1MHz
C=C+c     ,   cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
oss        ds         gd
C
是s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 20 40 60 80 100
Q, total gate charge (nc)
G
v     , gate-至-source voltage(v)
GS
V =80V
V =50V
V =20V
DS
DS
DS
一个
为 测试 电路
S EE图URE13
i    = 16一个
D
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
t  = 25°c
J
V=0V
GS
v     , 源-至-流 电压 (v)
i     , reverse drain current (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100 1000
V, dra在-至-source voltage (v)
DS
i   , drain current (一个)
OPE RATION在 这个一个RE一个LIMITE D
用R
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t     =25°C
t     =175°C
Sin
gle P u lse
C
J

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IRFP140N 4 www.irf.com 图 7. 典型源-流二极管向前电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压 0 400 800 1200 1600 2000 2400 1 10 100 c, 电容 (pf) DS V, drain-至-source voltage (v) 一个 V=0V, f =1MHz C=C+c , cSHORTE D C=C C=C+C GS issgsgdds rssgd oss ds gd C 是s C oss C rss 0 4 8 12 16 20 0 20 40 60 80 100 Q, total gate charge (nc) G v , gate-至-source voltage(v) GS V =80V V =50V V =20V DS DS DS 一个为测试电路 S EE图URE13 i = 16一个 D 10 100 1000 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 t = 25°c J V=0V GS v , 源-至-流电压 (v) i , reverse drain current (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 1 10 100 1000 1 10 100 1000 V, dra在-至-source voltage (v) DS i , drain current (一个) OPE RATION在这个一个RE一个LIMITE D 用R D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 t =25°C t =175°C Sin gle P u lse C J

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