irfr3411/irfu3411
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S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.2 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 16a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
115 170 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 16a
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
505 760 nC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
33
110
一个
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11)
开始 t
J
= 25
°
c, l =1.5mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 16a. (看 图示 12)
I
SD
≤ 16
一个, di/dt
≤
340a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175
°
c.
脉冲波 宽度
≤
400µs; 职责 循环
≤
2%.
注释:
这个 是 一个 典型 值 在 设备 destruction 和 代表
运作 外部 评估 限制.
这个 是 一个 计算 值 限制 至 t
J
= 175
°
c .
* 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料). 为
推荐 footprint dering 技巧 谈及 至 应用 便条
#an-994.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 100
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.12
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
–––
36 44 m
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 16a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0
–––
4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 21
––– –––
SV
DS
= 50v, i
D
= 16a
––– –––
25
µA
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
––– –––
250 V
DS
= 80v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担
–––
48 71 I
D
= 16a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
9.0 14 nC V
DS
= 80v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
14 21 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
11
–––
V
DD
= 50v
t
r
上升 时间
–––
35
–––
I
D
= 16a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
39
–––
R
G
= 5.1
Ω
t
f
下降 时间
–––
35
–––
V
GS
= 10v, 看 图. 10
在 含铅的,
––– –––
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容
–––
1960
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
250
–––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
40
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
700
185
mJ I
作
= 16a, l = 1.5mh
nH
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
L
D
内部的 流 电感
L
S
内部的 源 电感
––– –––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
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