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资料编号:1086651
 
资料名称:IRFR3704
 
文件大小: 118039K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfr/u3704
6 www.irf.com
图 13.
在-阻抗 vs. 门 电压
图 12.
在-阻抗 vs. 流 电流
图 15a&放大;b.
unclamped inductive 测试 电路
和 波形
图 15c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
t
p
V
(BR)DSS
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
0 50 100 150 200 250 300
I
D
, 流 电流 ( 一个 )
0.005
0.010
0.015
0.020
R
ds ( 在 )
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
vgs = 4.5v
vgs = 10v
4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.006
0.007
0.008
0.009
0.010
R
ds(在)
, 流-至 -源 在 阻抗 (
)
I
D
= 35.5a
25 50 75 100 125 150 175
0
100
200
300
400
500
600
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
11.6a
23.8a
28.4a
图 14a&放大;b.
基本 门 承担 测试 电路
和 波形
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