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资料编号:1086661
 
资料名称:IRFU430A
 
文件大小: 113960K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
02/26/002
IRFR430A
IRFU430A
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
益处
产品
低 门 承担 qg 结果 在 简单的
驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态
dv/dt 强壮
avalanche 电压 和 电流
有效的 c
OSS
指定 (看 一个 1001)
V
DSS
R
DS
(在) 最大值 I
D
500V 1.7
5.0a
绝对 最大 比率
pd - 94356a
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
130 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
5.0 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
–––
11 mJ
avalanche 特性
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
1.1
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
62
热的 阻抗
d-pak
IRFR430A
i-pak
IRFU430A
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.0
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 3.2 一个
I
DM
搏动 流 电流
20
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 110 W
直线的 减额 因素 0.91 w/
°
C
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
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