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资料编号:1086981
 
资料名称:IRL1404S
 
文件大小: 136988K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irl1404s/irl1404l
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 40
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.038
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c,
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– –––
0.004
V
GS
= 10v, i
D
= 95a
0.0059 V
GS
= 4.3v, i
D
= 40a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0
–––
3.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 93
––– –––
SV
DS
= 25v, i
D
= 95a
––– –––
20
µA
V
DS
= 40v, v
GS
= 0v
––– –––
250 V
DS
= 32v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
200 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-200
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担
––– –––
140 I
D
= 95a
Q
gs
门-至-源 承担
––– –––
48 nC V
DS
= 32v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
––– –––
60 V
GS
= 5.0v, 看 图. 6
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
18
–––
V
DD
= 20v
t
r
上升 时间
–––
270
–––
I
D
= 95a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
38
–––
R
G
= 2.5
V
GS
= 4.5v
t
f
下降 时间
–––
130
–––
R
D
= 0.25
在 含铅的,
––– –––
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容
–––
6600
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
1700
–––
pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
350
––– ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
C
oss
输出 电容
–––
6700
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
1500
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 32v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
1500
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 32v
nH
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
L
D
内部的 流 电感
L
S
内部的 源 电感
––– –––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.3 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 95a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间
–––
63 94 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 95a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
170 250 nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
160
640
一个
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