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资料编号:1087011
 
资料名称:IRLI3103
 
文件大小: 155103K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRLI3103
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性,
T
J
= 175
o
C
图 1.
典型 输出 特性,
T
J
= 25
o
C
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
一个
20µsPULSEWIDTH
T=25°C
J
VGS
TOP15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM2.5V
2.5V
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
一个
20µsPULSEWIDTH
T=175°C
VGS
TOP15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM2.5V
2.5V
J
1
10
100
1000
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
T=25°C
J
GS
V,G一个te-to-SourceVoltage(V)
D
i , 流-至-源 电流 (一个)
T=175°C
J
一个
V=15V
20µsPULSEWIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
T,JunctiTemper一个ture(°C)
r , 流-至-源 在 阻抗
ds(在)
(normalized)
V=10V
GS
一个
I=56一个
D
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