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资料编号:1087028
 
资料名称:IRLZ24NS
 
文件大小: 196570K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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irlz24ns/l
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
i , drain-至-source current (一个)
D
V, drain-至-sourceVoltage (v)
DS
一个
20µs 脉冲波 w IDTH
t = 25°c
J
VGS
顶 15v
12V
10V
8.0v
6.0v
4.0v
3.0v
bottom 2.5v
2.5v
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
i , drain-至-source current (一个)
D
V, dra在-至-sourceVoltage (v)
DS
一个
20µs 脉冲波 w IDTH
t = 175°c
VGS
顶 15v
12V
10V
8.0v
6.0v
4.0v
3.0v
bottom 2.5v
2.5v
J
0.1
1
10
100
2345678910
t = 25°c
J
GS
v , gate-至-sourceVoltage (v)
D
i , dra-至-source current (一个)
t = 175°c
J
一个
V=15V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
t , 接合面 temperature (°c)
R, drain-至-source on resistance
ds(在)
(normalized)
V=10V
GS
一个
i = 18A
D
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