2sa2039 / 2sc5706
非.6912-2/5
规格
note*( ) : 2sa2039
绝对 最大 比率
在 ta=25
°
C
参数 标识 情况 比率 单位
集电级-至-根基 电压 V
CBO
(--50)80 V
集电级-至-发射级 电压 V
CES
(--50)80 V
集电级-至-发射级 电压 V
CEO
(--)50 V
发射级-至-根基 电压 V
EBO
(--)6 V
集电级 电流 I
C
(--)5 一个
集电级 电流 (脉冲波) I
CP
(--)7.5 一个
根基 电流 I
B
(--)1.2 一个
集电级 消耗 P
C
0.8 W
Tc=25
°
C15W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg --55 至 +150
°
C
电的 特性
在 ta=25
°
C
比率
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
=(--)40v, i
E
=0 (--)1
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
=(--)4v, i
C
=0 (--)1
µ
一个
直流 电流 增益 h
FE
V
CE
=(--)2v, i
C
=(--)500ma 200 560
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
=(--)10v, i
C
=(--)500ma (360)400 MHz
输出 电容 Cob V
CB
=(--)10v, f=1mhz (24)15 pF
集电级-至-发射级 饱和 电压 V
CE
(sat)
I
C
=(--)1a, i
B
=(--)50ma
(
--
115)90 (
--
195)135
mV
I
C
=(--)2a, i
B
=(--)100ma
(
--
255)160 (
--
430)240
mV
根基-至-发射级 饱和 电压 V
是
(sat) I
C
=(--)2a, i
B
=(--)100ma (--)0.89 (--)1.2 V
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
=(--)10
µ
一个, i
E
=0 (--50)80 V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ces
I
C
=(--)100
µ
一个, r
是
=0 (--50)80 V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
=(--)1ma, r
是
=
∞
(--)50 V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
=(--)10
µ
一个, i
C
=0 (--)6 V
转变-在 时间 t
在
看 指定 测试 电路.
(30)35
ns
存储 时间 t
stg
看 指定 测试 电路.
(230)300
ns
下降 时间 t
f
看 指定 测试 电路.
(15)20
ns
swicthing 时间 测试 电路
V
R
10
25
Ω
V
CC
=25V
V
是
= --5v
10I
B1
= --10i
B2
= i
C
=1A
+
+
50
Ω
输入
输出
R
B
100
µ
F 470
µ
F
PW=20
µ
s
I
B1
I
B2
d.c.
≤
1%
为 pnp, 这 极性 是 使反转.
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