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资料编号:1088105
 
资料名称:2SD2580
 
文件大小: 44998K
   
说明
 
介绍:
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
非.5796-3/4
2SD2580
80 100 120 140 1606040200 80 100 120 140 1606040200
0
20
40
80
60
70
0
1
2
3
4
P
C
-
Ta P
C
-
Tc
非 热温 下沉
集电级 消耗, p
C
–W
包围的 温度, ta
°
C
集电级 消耗, p
C
–W
情况 温度, tc
°
C
10 100
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
2
3
5
2
3
5
7
10
7
0.1
2
3
5
1.0
7
2
3
5
2
3
5
10
7
357 2357
1000
23 57
100
57
1000
23 5 23 57
7
0.1 1.0 10
22357 2357
0.1 1.0 10
72357 2357
1.0
2
3
5
2
3
5
7
7
0.1
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7
0.1
7
V
CC
=200V
I
C
/
I
B1
=5
I
B2
/
I
B1
=2
R
加载
t
f
t
stg
Tc=25˚C
1 脉冲波
I
C
I
CP
P
T
=100
µ
s
300
µ
s
1ms
10ms
P
C
=70W
直流 运作
L=500
µ
H
I
B2
=
-
3A
Tc=25˚C
1 脉冲波
V
CC
=200V
I
C
=6A
I
B1
=1.2a
R
加载
t
f
t
stg
向前 偏差 一个 S O
SW 时间
-
I
C
SW 时间
-
I
B2
反转 偏差 一个 S O
集电级-至-发射级 电压, v
CE
–V
根基 电流, i
B2
–A
集电级 电流, i
C
–A
切换 时间, sw 时间
µ
s
切换 时间, sw 时间
µ
s
集电级 电流, i
C
–A
集电级 电流, i
C
–A
集电级-至-发射级 电压, v
CE
–V
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