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资料编号:1088109
资料名称:
2SD2645
文件大小: 30028K
说明
:
介绍
:
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SD2645
非.6897-2/4
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
集电级 电流, i
C
-- 一个
集电级 电流, i
C
-- 一个
V
CE
(sat) -- i
C
集电级-至-发射级
饱和 电压, v
CE
(sat) -- v
集电级 电流, i
C
-- 一个
h
FE
-- i
C
直流 电流 增益, h
FE
根基-至-发射级 电压, v
是
-- v
I
C
--
V
是
(在)
集电级 电流, i
C
-- 一个
I
C
--
V
CE
01
3
5
7
9
0
24
68
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
0.1
0.01
0.1
1.0
2
3
5
2
3
5
7
10
7
2
3
5
7
23
57
23
57
1.0
10
0.20
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
12
8
10
0
3
2
0.1
1.0
10
23
57
23
57
5
7
1.0
10
3
2
5
7
100
IT02880
IT02882
IT02883
IT02881
--40
°
C
25
°
C
Ta=120
°
C
V
CE
=5V
I
C
/
I
B
=5
25
°
C
120
°
C
ta= --40
°
C
V
CE
=5V
Ta=120
°
C
25
°
C
--40
°
C
I
B
=0
0.2a
0.4a
0.6a
0.8a
1.0a
1.2a
1.4a
1.6a
2.0a
1.8a
持续 从 preceding 页.
比率
参数
标识
情况
最小值
典型值
最大值
单位
二极管 向前 电压
V
F
I
EC
=8A
2
V
下降 时间
t
f
I
C
=5a, i
B1
=1a, i
B2
=--2a
0.3
µ
s
切换 时间 测试 电路
++
PW=20
µ
s
d.c.
≤
1%
50
Ω
输入
R
B
V
R
R
L
=40.0
Ω
V
CC
=200VV
是
= --2v
I
B1
I
B2
470
µ
F100
µ
F
输出
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