DS1270W
6 的 8
电源-向下/电源-向上 情况
看 便条 11
电源-向下/电源-向上 定时
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
V
CC
失败 发现 至
CE
和
我们
Inactive
t
PD
1.5
s
11
V
CC
回转 从 v
TP
至 0v t
F
150
s
V
CC
回转 从 0v 至 v
TP
t
R
150
s
V
CC
有效的 至
CE
和
我们
Inactive
t
PU
2ms
V
CC
有效的 至 终止 的 写 保护 t
REC
125 ms
(t
一个
= 25
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
预期的 数据-保持 时间 t
DR
5 年 9
警告:
下面 非 circumstance 是 负的 undershoots, 的任何 振幅, 允许 当 设备 是 在 电池
backup 模式.
注释:
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2.
OE
= v
IH
或者 v
IL
. 如果
OE
= v
IH
在 写 循环, 这 输出 缓存区仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
3.
t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的
CE
和
我们
. t
WP
是 量过的 从 这 latter 的
CE
或者
我们
going 低 至 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
4.
t
DS
是 量过的 从 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
5.
这些 参数 是 抽样 和 一个 5pf 加载 和 是 不 100% 测试.
6.
如果 这
CE
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 latter 比 这
我们
低 转变, 这 输出
缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
7.
如果 这
CE
高 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
我们
高 转变, 这 输出
缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
8.
如果
我们
是 低 或者 这
我们
低 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
CE
低 转变,
这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
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