热的 数据
R
thj-amb
•
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 357.1
o
c/w
•
设备 挂载 在 一个 pcb 范围 的 1 cm
2
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CEX
集电级 截-止
电流 (v
是
= -3 v)
V
CE
= -30 v -50 nA
I
BEX
根基 截-止 电流
(v
是
= -3 v)
V
CE
= -30 v -50 nA
I
CBO
集电级 截-止
电流 (i
E
= 0)
V
CB
= -50 v -10 nA
V
(br)ceo
∗
集电级-发射级
损坏 电压
(i
B
= 0)
I
C
= -10 毫安 -60 V
V
(br)cbo
集电级-根基
损坏 电压
(i
E
= 0)
I
C
= -10
µ
一个
-60 V
V
(br)ebo
发射级-根基
损坏 电压
(i
C
= 0)
I
E
= -10
µ
一个
-5 V
V
ce(sat)
∗
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= -150 毫安 i
B
= -15 毫安
I
C
= -500 毫安 i
B
= -50 毫安
-0.4
-1.6
V
V
V
是(sat)
∗
集电级-根基
饱和 电压
I
C
= -150 毫安 i
B
= -15 毫安
I
C
= -500 毫安 i
B
= -50 毫安
-1.3
-2.6
V
V
h
FE
∗
直流 电流 增益 I
C
= -0.1 毫安 v
CE
= -10 v
I
C
= -1 毫安 v
CE
= -10 v
I
C
= -10 毫安 v
CE
= -10 v
I
C
= -150 毫安 v
CE
= -10 v
I
C
= -500 毫安 v
CE
= -10 v
75
100
100
100
50
300
f
T
转变 频率 I
C
= -50 毫安 v
CE
= -20v f = 100mhz 200 MHz
C
CBO
集电级-根基
电容
I
E
= 0 v
CB
= -10 v f = 1 mhz 8 pF
C
EBO
发射级-根基
电容
I
C
= 0 v
EB
= -2 v f = 1 mhz 30 pF
t
d
延迟 时间 I
C
= -150 毫安 i
B
= -15 毫安
V
CC
= -30v
10 ns
t
r
上升 时间 40 ns
t
在
切换 在 时间 45 ns
t
s
存储 时间 I
C
= -150 毫安 i
B1
= -i
B2
= -15ma
V
CC
= -30v
190 ns
t
f
下降 时间 30 ns
t
止
切换 止 时间 220 ns
∗
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
MMBT2907A
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