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资料编号:1093073
 
资料名称:STS1NK60Z
 
文件大小: 307465K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.25A SO-8 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STS1NK60Z
2/8
绝对 最大 比率
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
(1) I
SD
0.3a, di/dt
200a/µs, V
DD
V
(br)dss
,t
j
T
jmax.
热的 数据
门-源 齐纳 二极管
保护 特性 门-至-源 齐纳 二极管
建造-在 后面的-至-后面的 齐纳 二极管 specifically 设计 增强 仅有的 设备的
静电释放 能力, 但是 制造 它们 safely absorb 可能 电压 过往旅客 occasionally
应用 源. 这个 遵守 齐纳 电压 适合的 达到 一个 效率高的
费用-有效的 intervention 保护 设备的 integrity. 这些 整体的 齐纳 二极管 因此 避免
用法 外部 组件.
标识 参数 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
600 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
)
600 V
V
GS
门- 电压 ± 30 V
I
D
电流 (持续的) T
C
= 25°C
0.25 一个
I
D
电流 (持续的) T
C
= 100°C
0.16 一个
I
DM
(
)
电流 (搏动) 1 一个
P
TOT
总的 消耗 T
C
= 25°C
2W
减额 因素 0.016 w/°c
V
静电释放(g-s)
静电释放(hbm-c=100pf, r=1.5k
Ω)
800 V
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
T
j
T
stg
运行 接合面 温度
存储 温度
-55to150
-55to150
°C
°C
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 62.5 °c/w
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
GSO
门-源 损坏
电压
Igs=± 1mA (打开 流) 30 V
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