132 seg / 65COM驱动器 &放大; 控制为 stn lcd preliminary 规格. ver.1.1S6B0724
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建造-在一个nalogCircuit
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在-碎片 振荡器 电路为 显示 时钟 (外部 时钟 能 也 是 使用)
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高 效能 voltage 转换器 (和 升压器 ratios 的x2,x3, x4 和 x5, 在哪里 这 步伐-向上 涉及
电压 能 是 使用externally)
−
高 精度电压 调整器 (温度 系数:-0.05%/
°
C或者 外部 输入)
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电子的 contrast 控制 函数 (64 步伐)
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vref = 2.1v
±
3% (v0 电压 调整 电压)
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高 效能 voltage 追随着(v1 至 v4 电压 分隔物电阻器 和 运算-放大 为 增加 驱动
capacity)
运行 电压 范围
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供应 电压 (vDD):2.4至3.6V
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供应 电压 (vDD):2.4至5.5V(选择 用 产品 代号)
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lcd 驱动 电压 (vLCD= v0-VSS): 4.5至 15.0 v
低 电源 consumption
−
运行 电源: 40
µΑ
typical. (情况:VDD= 3v,x4 boosting(vci 是 vDD),v0 = 11v, 内部的 电源 供应
在, 显示 oFF和 正常的 模式 是 选择)
−
备用物品 电源: 10
µΑ
最大值imum. (在 电源 保存 [standby] 模式)
运行 温度
−
宽 range 的 运行 温度:-40 至 85
°
C
cmos 处理
包装 类型
−
金bumpedchip
序列 规格
产品code
温度
coefficient
Package类型
碎片thickness
VDD
范围
S6B0724A01-B0CZ
670
µ
m
S6B0724A01-B0CY
470
µ
m
2.4~3.6[v]
S6B0724A05-B0CZ
670
µ
m
S6B0724A05-B0CY
-0.05%/
°
C COG
470
µ
m
2.4~5.5[v]
* xx: tcp 订货 号码
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