6.42
idt7026s/l
高-速 16k x 16 双-端口 静态的 内存 军队, 工业的 一个d 商业的 温度 范围
7
注释:
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 输出 测试 加载 (图示 2).
2. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
3. 至 进入 内存,
CE
= v
IL
和
SEM
= v
IH
. 至 进入 semaphore,
CE
= v
IH
和
SEM
= v
IL
.
4. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
交流 电的 特性 在 这
运行 温度 和 供应 电压 范围
(4)
7026X15
com'l 仅有的
7026X20
com'l, ind
&放大; 军队
7026X25
com'l, ind
&放大; 军队
单位标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.
读 循环
t
RC
读 cycle时间 15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
15
____
20
____
25 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
15
____
20
____
25 ns
t
ABE
字节 使能 进入 时间
(3)
____
15
____
20
____
25 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
____
10
____
12
____
13 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
输出 低-z 时间
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
输出 high-z 时间
(1,2)
____
10
____
12
____
15 ns
t
PU
碎片 enable 至电源 向上 时间
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip disable至Po我们r 做wn 时间
(2)
____
15
____
20
____
25 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (
OE
或者
SEM
)10
____
10
____
12
____
ns
t
SA一个
semaphore 地址 进入 时间
____
15
____
20
____
25 ns
2939 tbl 12一个
7026X35
com'l, ind
&放大; 军队
7026X55
com'l, ind
&放大; 军队
单位标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.
读 循环
t
RC
读 cycle时间 35
____
55
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
35
____
55 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
35
____
55 ns
t
ABE
字节 使能 进入 时间
(3)
____
35
____
55 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
____
20
____
30 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
ns
t
LZ
输出 低-z 时间
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
输出 high-z 时间
(1,2)
____
15
____
25 ns
t
PU
碎片 enable 至电源 向上 时间
(2)
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip disable至Po我们r 做wn 时间
(2)
____
35
____
50 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (
OE
或者
SEM
)15
____
15
____
ns
t
SA一个
semaphore 地址 进入 时间
____
35
____
55 ns
2939 tbl 12b
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