军队 和 工业的 温度 范围
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idt54/74fct574t/在/ct
快 cmos octal d 寄存器 (3-状态)
标识 参数 测试 情况
(1)
最小值 典型值
(2)
最大值 单位
∆
I
CC
安静的 电源 供应 电流 V
CC
= 最大值 — 0.5 2 毫安
ttl 输入 高 V
在
= 3.4v
(3)
I
CCD
动态 电源 供应 V
CC
= 最大值 V
在
= v
CC
— 0.15 0.25 毫安/
电流
(4)
输出 打开 V
在
= 地 MHz
OE
= 地
一个 输入 toggling
50% 职责 循环
I
C
总的 电源 供应 电流
(6)
V
CC
= 最大值 V
在
= v
CC
— 1.5 3.5 毫安
输出 打开 V
在
= 地
f
CP
= 10mhz
50% 职责 循环 V
在
= 3.4v — 2 5.5
OE
= 地 V
在
= 地
fi = 5mhz
一个 位 toggling
V
CC
= 最大值 V
在
= v
CC
— 3.8 7.3
(5)
毫安
输出 打开 V
在
= 地
f
CP
= 10mhz
50% 职责 循环 V
在
= 3.4v — 6 16.3
(5)
OE
= 地 V
在
= 地
第八 位 toggling
fi = 2.5mhz
注释:
1. 为 情况 显示 作 最小值 或者 最大值., 使用 适合的 值 指定 下面 电的 特性 为 这 适用 device 类型.
2. 典型 值 是 在 v
CC
= 5.0v, +25°c 包围的.
3. 每 ttl 驱动 输入; (v
在
= 3.4v). 所有 其它 输入 在 v
CC
或者 地.
4. 这个 参数 是 不 直接地 testable, 但是 是 获得 为 使用 在 总的 电源 供应 calculations.
5. 值 为 这些 情况 是 examples 的
∆
I
CC
formula. 这些 限制 是 有保证的 但是 不 测试.
6. I
C
= i
安静的
+ i
输入
+ i
动态
I
C
= i
CC
+
∆
I
CC
D
H
N
T
+ i
CCD
(f
CP
/2+ f
i
N
i
)
I
CC
= 安静的 电流
∆
I
CC
= 电源 供应 电流 为 一个 ttl 高 输入 (v
在
= 3.4v)
D
H
= 职责 循环 为 ttl 输入 高
N
T
= 号码 的 ttl 输入 在 d
H
I
CCD
= 动态 电流 造成 用 一个 输入 转变 一双 (hlh 或者 lhl)
f
CP
= 时钟 频率 为 寄存器 设备 (零 为 非-寄存器 设备)
f
i
= 输出 频率
N
i
= 号码 的 输出 在 f
i
所有 电流 是 在 milliamps 和 所有 发生率 是 在 megahertz.
电源 供应 特性
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