6.42
idt71256s/l
cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 军队, 商业的, 和 工业的 温度 范围
5
2946 drw 06
数据
保持
模式
4.5v
4.5v
V
DR
≥
2V
V
IH
V
IH
t
R
t
CDR
V
CC
CS
V
DR
注释:
1. 0° 至 +70°c 温度 范围 仅有的.
2. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
3. –55°c 至 +125°c 温度 范围 仅有的.
标识 参数
71256L20
(1)
71256S25
71256L25
71256S35
71256L35
71256S45
(3)
71256L45
(3)
Unit
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 cycle
t
RC
ReadCycle时间 20
____
25
____
35
____
45
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
20
____
25
____
35
____
45 ns
t
ACS
碎片 选择 进入 时间
____
20
____
25
____
35
____
45 ns
t
CL Z
(2)
碎片Select 至Output in low-z 5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
CHZ
(2)
碎片Desele ct 至Output 在 high-z
____
10
____
11
____
15
____
20 ns
t
OE
Output enable至 output 有效的
____
10
____
11
____
15
____
20 ns
t
OLZ
(2)
Output enab le至Output in low-z 2
____
2
____
2
____
0
____
ns
t
OHZ
(2)
Output disab le至 output 在 high-z 2 8 2 10 2 15
____
20 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 5
____
5
____
5
____
5
____
ns
Wri teCycl e
t
WC
写 循环 时间 20
____
25
____
35
____
45
____
ns
t
CW
碎片Select 至终止-的-写 15
____
20
____
30
____
40
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 15
____
20
____
30
____
40
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
写PulseWidth 15
____
20
____
30
____
35
____
ns
t
WR
写 recovery时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
数据 至Write时间Overlap 11
____
13
____
15
____
20
____
ns
t
WHZ
(2)
写 enab le至 输出 在 high-z
____
10
____
11
____
15
____
20 ns
t
DH
数据 holdfrom 写时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(2)
Output 一个c德州仪器vefrom end-of-写 5
____
5
____
5
____
5
____
ns
2946 tbl12
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