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资料编号:1095312
 
资料名称:W39F010
 
文件大小: 344769K
   
说明
 
介绍:
NVM >Flash Memory
 
 


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W39F010
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激励 块 运作
那里 是 二 alternatives 至 设置 这 激励 块. 这 16k-字节 在 这 顶/bottom location 的 这个 设备
能 是 锁 作 激励 块, 这个 能 是 使用 至 store boot 代号. 它 是 located 在 这 last 16k 字节
或者 第一 16k 字节 的 这 记忆 和 这 地址 范围 从 1c000(十六进制) 至 1ffff(十六进制) 为 顶
location 或者 00000(十六进制) 至 03fff(十六进制) 为 bottom location.
看 command 代号 为 激励 块 lockout 使能 为 这 specific 代号. once 这个 特性 是 设置 这
数据 为 这 designated 块 不能 是 erased 或者 编写程序 (程序编制 lockout), 其它 记忆
locations 能 是 changed 用 这 regular 程序编制 方法.
在 顺序 至 发现 whether 这 激励 块 特性 是 设置在 这 第一/last 16k-字节 块 或者 不, 用户 能
执行 软件 command sequence: enter 这 产品 identification 模式 (看 command 代号 为
identification/激励 块 lockout 发现 为 明确的 代号), 和 然后 读 从 地址 0002(十六进制)
为 first(bottom) location 或者 1fff2(十六进制) 为 last(顶) location.如果这 dq0/dq1 的 输出 数据 是 "1,"
这 16kbytes 激励 块 程序编制 lockout 特性 将 是 使活动; 如果 这 dq0/dq1 的 输出 数据
是 "0," 这 lockout 特性 将 是 inactivated 和 这 block 能 是 erased/编写程序.
至 返回 至 正常的 运作, 执行 一个 三-字节 command sequence (或者 一个 alternate 单独的-字节
command) 至 exit 这 identification 模式. 为 这 明确的 代号, 看 command 代号 为
identification/激励 块 lockout detecti在.
VDDInhibit
至 避免 initiation 的 一个 写 循环 在VDD电源-向上 和 电源-向下, 这W39F010locks 输出 当
VDD< 2.0v (看 直流 特性 部分 为 电压). 这 写 和 读 行动 是 inhibited
当 vDD是 较少 比 2.0v typical. 这W39F010ignores 所有 写 和 读 行动 直到VDD>
2,0v. 这 用户 必须 确保 那 这 控制 管脚 是 在 这 准确无误的 逻辑 状态 当VDD> 2.0v 至
阻止 unintentional 写.
写 脉冲波 "glitch" 保护
噪音 脉冲 的 较少 比 10 ns (典型) 在 #oe, #ce, 或者 #我们 将 不 initiate 一个 写 循环.
logical inhibit
writing 是 inhibited 用 支持 任何 一个 的 #oe = vIL, #ce = vIH, 或者 #我们 = vIH. 至 initiate 一个 写 循环
#ce 和 #我们 必须 是 一个 logical 零 当 #oe 是 一个 logical 一个.
电源-up 写 inhibit
电源-向上 的 这 设备 和 #我们 = #ce = vIL和 #oe = vIH将 不 接受 commands 在 这 rising
边缘 的 #我们 除了 5ms 延迟 (看 这 电源 向上 定时 在 交流 特性). 这 内部的 状态
机器 是 automatically 重置 至 这 读 mode 在 电源-向上.
command 定义
设备 行动 是 选择 用 writing 明确的 地址 和 数据 sequences 在 这 command
寄存器.writing incorrect 地址 和 数据 值 或者 writing 它们 在 这 improper sequence 将 重置
这 设备 至 这 读模式. "command 定义" 定义 这 有效的 寄存器 command sequences.
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