W27C02
发行 释放 日期: april 11, 2002
-3-Revision 一个2
备用物品 模式
这 备用物品 模式 significantly 减少 vDD电流. 这个 模式 是 entered 当 #ce高. 在 备用物品
模式, 所有 输出 是 在 一个 高 阻抗 状态, 独立的 #oe 和 #pgm.
二-线条 输出 控制
自从 eproms 是 常常 使用 在 大 记忆 arrays, 这w27c02 提供 二 控制 输入 为
多样的 记忆 连接. 二-线条 控制 提供 为 最低 可能 记忆 电源 消耗
和 确保 那 data 总线 contention 将 不 出现.
系统 仔细考虑
非易失存储器 电源 切换 特性 需要 细致的 设备 解耦. 系统 designers 是
影响 和 三 供应 电流 issues: 备用物品 电流 水平 (iSB), 起作用的 电流 水平 (iCC), 和
瞬时 电流 顶峰 生产 用 这 下落 和 rising edges 的 #ce. 瞬时 电流 magnitudes
取决于 在 这 设备 输出's 电容的 和 inductive 加载. 二-线条 控制 和 恰当的 解耦
电容 选择 将 压制 瞬时 voltage 顶峰. 各自 设备 应当 有 一个 0.1
µ
f 陶瓷的
电容 连接 在 它的 vDD和 vss. 这个 高 频率, 低 固有的-电感 电容
应当 是 放置 作 关闭 作 可能 至 这 设备. additionally, 为 每 第八 设备, 一个 4.7
µ
F
electrolytic 电容 应当 是 放置 在 这 排列's 电源 供应 连接 在 vDD和 vss.
这 大(量) 电容 将 克服 电压 slumps 造成 用 pc 板 查出 inductances.
表格 的 运行 mODES
VDD=5.0v
±
5%,Vpp=VpE=VHH=12v, vCP=VPE=VCE=5.0v, x=vIH或者 vIL
模式 管脚
#CE
#OE
#PGM
A0 A9
OTER
地址
VDD
VPP
输出
读 VIL
VIL
X X X X VDD
VDD
D输出
输出 使不能运转 VIL
VIH
X X X X VDD
VDD
高 z
备用物品 (ttl) VIH
X X X X X VDD
VDD
高 z
备用物品 (cmos)
VDD
±
0.3v
X X X X X VDD
VDD
高 z
程序 VIL
VIH
VIL
X X X VCP
VPP
D在
程序 核实 VIL
VIL
VIH
X X X VCP
VPP
D输出
程序 inhibit VIH
X X X X X VCP
VPP
高 z
Erase1 VIL
VIH
VIL
VIL
VPE
VCE
VPE
ff (十六进制)
Erase2 VIL
VIH
VIL
第一 command:
地址. = 5555 (十六进制)
VCE
VCP
aa (hex)
第二 command:
地址. = 2aaa (十六进制)
VCE
VCP
10 (十六进制)
擦掉 核实 VIL
VIL
VIH
X
X X VPE
VPE
D输出
擦掉 inhibit VIH
X X X X X VCE
VPE
高 z
产品 identifier-
生产者
VIL
VIL
X VIL
VHH
X
VDD
VDD
da (十六进制)
产品 identifier-
设备
VIL
VIL
X VIH
VHH
X
VDD
VDD
85 (十六进制)
: 点此下载
