ADS850
SBAS154C
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电的 特性
(内容.)
在 t
一个
= 全部 指定 温度 范围, v
S
= +5v, 指定 差别的 输入 范围 = 1.5v 至 3.5v, 内部的 涉及 输入, 抽样 比率 = 10msps 之后 calibration,
和 v
REF
= 2v, 除非 否则 指定.
ADS850Y
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
数字的 输入
逻辑 家族 +3v/+5v 逻辑 兼容 cmos
转变 command 开始 转换 rising 边缘 的 转变 时钟
高 水平的 输入 电流 (v
在
= 5v)
(4)
100
µ
一个
低 水平的 输入 电流 (v
在
= 0v)
±
10
µ
一个
高 水平的 输入 电压 +2.0 V
低 水平的 输入 电压 +1.0 V
输入 电容 5pF
数字的 输出
逻辑 家族 +3v/+5v 逻辑 兼容 cmos V
逻辑 编码 笔直地 补偿 二进制的
低 输出 电压 (i
OL
= 50
µ
一个) 0.1 V
低 输出 电压 (i
OL
= 1.6ma) 0.4 V
高 输出 电压 (i
OH
= 50
µ
一个) +4.5 V
高 输出 电压 (i
OH
= 0.5ma) +2.4 V
3-状态 使能 时间 oe = 低 20 40 ns
3-状态 使不能运转 时间 oe = 高 2 10 ns
输出 电容 5pF
精度 (4vp-p 输入 范围)
零 错误 (涉及 至 –fs) 在 25
°
C
±
0.2 %FS
零 错误 逐渐变化 (涉及 至 –fs)
±
5 ppm/
°
C
增益 错误
(5)
在 25
°
C
±
0.7 %FS
增益 错误 逐渐变化
(5)
±
15 ppm/
°
C
增益 错误
(6)
在 25
°
C
±
0.042
%FS
增益 错误 逐渐变化
(6)
±
15 ppm/
°
C
电源-供应 拒绝 的 增益
∆
V
S
=
±
5% 82 dB
涉及 输入 阻抗 1.6 k
Ω
内部的 电压 涉及 容忍 (v
REF
= 2.0v)
(7)
在 25
°
C
±
13.5mv mV
内部的 电压 涉及 容忍 (v
REF
= 1.0v)
(7)
在 25
°
C
±
6mV mV
电源-供应 (所需的)东西
供应 电压: +v
S
运行 +4.7 +5.0 +5.3 V
供应 电压: vdrv 运行 +2.7 +5.3 V
供应 电流: +i
S
运行 53 毫安
电源 消耗 vdrv = 3v 外部 涉及 240 mW
vdrv = 5v 外部 涉及 245 mW
vdrv = 3v 内部的 涉及 250 275 mW
vdrv = 5v 内部的 涉及 255 mW
电源-向下 20 mW
热的 阻抗,
θ
JA
tqfp-48 56.5
°
c/w
注释: (1) spurious-自由 动态 范围 谈及 至 这 区别 在 巨大 在 这 基本的 和 这 next largest 调和的. (2) dbfs 意思 db
相关的 至 全部 规模. (3) 有效的 号码 的 位 (enob) 是 定义 用 (sinad – 1.76)/6.02. (4) 内部的 50k
Ω
拉-向下 电阻. (5) 包含 内部的 涉及.
(6) excludes 内部的 涉及. (7) 典型 涉及 容忍 为基础 在
±
1 sigma 的 分发.
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