mbm29lv800te/是
60/70/90
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(持续)
这 标准 mbm29lv800te/是 提供 进入 时间 60 ns, 70 ns 和 90 ns, 准许 运作 的 高-速
微处理器 没有 wait 状态. 至 eliminate 总线 contention, 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
) ,
写 使能 (我们
) , 和 输出 使能 (oe) 控制.
这 mbm29lv800te/是 是 管脚 和 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 标准 e
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proms. commands
是 写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作
输入 至 一个 内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部
获得 地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备
是 类似的 至 读 从 5.0 v 和 12.0 v flash 或者 非易失存储器 设备.
这 mbm29lv800te/是 是 编写程序 用 executing 这 程序 command sequence. 这个 将 invoke 这
embedded 程序 algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically 时间 这 程序 脉冲波 widths
和 核实 恰当的 cell 余裕. 典型地, 各自 sector 能 是 编写程序 和 核实 在 关于 0.5 秒.
擦掉 是 accomplished 用 executing 这 擦掉 command sequence. 这个 将 invoke 这 embedded 擦掉
algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically preprograms 这 排列 如果 它 是 不 already 编写程序
在之前 executing 这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这 设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和
核实 恰当的 cell 余裕.
一个 sector 是 典型地 erased 和 核实 在 1.0 第二. (如果 already 完全地 preprogrammed.)
这 设备 也 特性 一个 sector 擦掉 architecture. 这 sector 模式 准许 各自 sector 至 是 erased 和
reprogrammed 没有 影响 其它 sectors. 这 mbm29lv800te/是 是 erased 当 运输 从 这
因素y.
这 设备 特性 单独的 3.0 v 电源 供应 运作 为 两个都 读 和 写 功能. 内部 发生
和 管制 电压 是 提供 为 这 程序 和 擦掉 行动. 一个 低 v
CC
探测器 automatically
inhibits 写 行动 在 这 丧失 的 电源. 这 终止 的 程序 或者 擦掉 是 发现 用 数据
polling 的 dq
7
,
用 这 toggle 位 特性 在 dq
6
, 或者 这 ry/用输出 管脚. once 这 终止 的 一个 程序 或者 擦掉 循环 有 被
完成, 这 设备 内部 resets 至 这 读 模式.
这 mbm29lv800te/是 也 有 硬件 重置
管脚. 当 这个 管脚 是 驱动 低, 执行 的 任何
embedded 程序 algorithm 或者 embedded 擦掉 algorithm 是 terminated. 这 内部的 状态 机器 是 然后
重置 至 这 读 模式. 这 重置
管脚 将 是 系 至 这 系统 重置 电路系统. 因此, 如果 一个 系统 重置
occurs 在 这 embedded 程序 algorithm 或者 embedded 擦掉 algorithm, 这 设备 是 automatically
重置 至 这 读 模式 和 将 有 erroneous 数据 贮存 在 这 地址 locations 正在 编写程序 或者
erased. 这些 locations 需要 re-writing 之后 这 重置. resetting 这 设备 使能 这 系统’s
微处理器 至 读 这 激励-向上 firmware 从 这 flash 记忆.
fujitsu’s flash 技术 结合 年 的 flash 记忆 制造 experience 至 生产 这 最高的
水平 的 质量, 可靠性, 和 费用 成效. 这 mbm29lv800te/是 记忆 用电气 擦掉 所有 位
在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordhiem tunneling. 这 字节/words 是 编写程序 一个 字节/文字
在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
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