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fn9221.0
8月 10, 2005
绝对 最大 ratings 热的 信息
供应 电压 (vcc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 7v
输入 电压 (v
EN
, v
PWM
) . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 vcc + 0.3v
激励 电压 (v
激励-地
). . . -0.3v 至 25v (直流) 或者 36v (<200ns)
激励 至 阶段 电压 (v
激励-阶段
) . . . . . . -0.3v 至 7v (直流)
-0.3v 至 9v (<10ns)
阶段 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 地 - 0.3v 至 15v (直流)
地 -8v (<20ns 脉冲波 宽度, 10
µ
j) 至 30v (<100ns)
ugate 电压. . . . . . . . . . . . . . . . V
阶段
- 0.3v (直流) 至 v
激励
V
阶段
- 5v (<20ns 脉冲波 宽度, 10
µ
j) 至 v
激励
lgate 电压 . . . . . . . . . . . . . . .地 - 0.3v (直流) 至 vcc + 0.3v
地 - 2.5v (<20ns 脉冲波 宽度, 5
µ
j) 至 vcc + 0.3v
包围的 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°c 至 125°c
hbm 静电释放 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2kV
推荐 运行 情况
包围的 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°c 至 100°c
最大 运行 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . 125°C
供应 电压, vcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
±
10%
热的 阻抗 (注释 1, 2, &放大; 3)
θ
JA
(°c/w)
θ
JC
(°c/w)
soic 包装 (便条 1) . . . . . . . . . . . . 110 n/一个
qfn 包装 (注释 2 &放大; 3) . . . . . . . . 95 36
最大 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . -65°c 至 150°c
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings”将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 高 有效的 热的 conductivity 测试 板 在 自由 空气. 看 tech brief tb379 f或者 详细信息.
2.
θ
JA
是 量过的 在 自由 空气 和 这 组件 挂载 在 一个 高 effective 热的 conductivity 测试 板 和 “direct attach” features.
3.
θ
JC
, “case temperature” location 是 在 这 中心 的 这包装 underside exposed 垫子. 看 tech brief tb379 为 详细信息.
电的 规格
这些 规格 应用 为 t
一个
= -40°c 至 100°c, 除非 否则 指出
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 供应 电流
偏差 供应 电流 I
VCC
pwm 管脚 floating, v
VCC
= 5v - 132 -
µ
一个
por rising -3.44.2
por 下落 2.2 3.0 -
Hysteresis - 400 - mV
pwm 输入
sinking 阻抗 R
pwm_snk
2.75 4 5.5 k
Ω
源 阻抗 R
pwm_src
3 4.25 5.75 k
Ω
三-状态 rising 门槛 V
VCC
= 5v (100mv hysteresis) - 1.70 2.00 V
三-状态 下落 门槛 V
VCC
= 5v (100mv hysteresis) 3.10 3.41 - V
三-状态 关闭 holdoff 时间 t
TSSHD
t
PDLU
或者 t
PDLL
+ 门 下落 时间 - 20 - ns
en 输入
en 低 门槛 1.0 1.3 - V
en 高 门槛 -1.62.0v
切换 时间
(看 图示 1 在 页 6)
ugate 上升 时间 (便条 4) t
RU
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8.0 - ns
lgate 上升 时间 (便条 4) t
RL
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8.0 - ns
ugate 下降 时间 (便条 4) t
FU
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8.0 - ns
lgate 下降 时间 (便条 4) t
FL
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 4.0 - ns
ugate 转变-止 传播 延迟 t
PDLU
V
VCC
= 5v, 输出 unloaded - 18 - ns
lgate 转变-止 传播 延迟 t
PDLL
V
VCC
= 5v, 输出 unloaded - 25 - ns
isl6609, isl6609a
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