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资料编号:1096251
 
资料名称:FDB7030BLS
 
文件大小: 84346K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™
 
 


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fdp7030bls rev B(w)
典型 特性
(持续)
syncfet 肖特基 身体 二极管
特性
仙童’s syncfet 处理 embeds 一个 肖特基 二极管 在
并行的 和 powertrench 场效应晶体管. 这个 二极管 exhibits
类似的 特性 至 一个 分离的 外部 肖特基
二极管 在 并行的 和 一个 场效应晶体管. 图示 12
fdp7030bls.
图示 12. fdp7030bls syncfet 身体
二极管 反转 恢复 典型的.
为 comparison 目的, 图示 13 显示 这 reverse
恢复 特性 的 这 身体 二极管 的 一个
相等的 大小 场效应晶体管 生产 没有 syncfet
(fdp7030bl).
图示 13. 非-syncfet (fdp7030bl) 身体
二极管 反转 恢复 典型的.
肖特基 屏障 二极管 展览significant 泄漏 在
高 温度 和 高 反转 电压. 这个 将
增加 这 电源 在 这 设备.
图示 14. syncfet 二极管 反转 泄漏
相比 流-源 电压 和
温度.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0 10 20 30
V
DS
, 反转 电压 (v)
I
DSS
, 反转 泄漏 电流 (一个)
T
一个
= 100
o
C
T
一个
= 25
o
C
fdp7030bls/fdb7030bls
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