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W99688CBM3
发行 释放 日期: 12月 17, 2003
 - 9 -   修订 a1
电源 和 地面 (33 管脚)
管脚 名字 管脚 号码 类型 描述
VDDB
d11, j6, l2,
j1, g2, c1,
a3, a7, c10
P
i/o 垫子 缓存区 电源 供应. 提供 分开的 电源 至
这 i/o 缓存区 为 改进 噪音 免除. +3.3v
±
0.3v.
VSSB
(地)
e11, j10, l7,
l3, l1, h1,
d2, a2, c5,
C11
G i/o 垫子 缓存区 地面.
VDDI j11, l5, g1 P
内部的 核心 逻辑 电源 供应. +2.5v
±
0.25v.
VSSI h8, k1, k2 G 内部的 核心 逻辑 地面.
avddp b4 p
pll 电源 供应.  +2.5v
±
0.25v.
avssp a4 g pll 地面.
usbvdd e1 P
usb 电源 供应. +3.3v
±
0.3v.
usbvss d1 g usb 地面.
地-d F3 G embedded sdram 地面-1.
vd33-d g3 p
embedded sdram 电源 供应-1. +3.3v
±
0.3v.
地-f B5 G embedded flash 只读存储器 地面.
vd33-f k6 p
embedded flash 只读存储器 电源 供应. +3.3v
±
0.3v.

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W99688CBM3 发行释放日期: 12月 17, 2003 - 9 - 修订 a1 电源和地面 (33 管脚) 管脚名字管脚号码类型描述 VDDB d11, j6, l2, j1, g2, c1, a3, a7, c10 P i/o 垫子缓存区电源供应. 提供分开的电源至这 i/o 缓存区为改进噪音免除. +3.3v ± 0.3v. VSSB (地) e11, j10, l7, l3, l1, h1, d2, a2, c5, C11 G i/o 垫子缓存区地面. VDDI j11, l5, g1 P 内部的核心逻辑电源供应. +2.5v ± 0.25v. VSSI h8, k1, k2 G 内部的核心逻辑地面. avddp b4 p pll 电源供应. +2.5v ± 0.25v. avssp a4 g pll 地面. usbvdd e1 P usb 电源供应. +3.3v ± 0.3v. usbvss d1 g usb 地面. 地-d F3 G embedded sdram 地面-1. vd33-d g3 p embedded sdram 电源供应-1. +3.3v ± 0.3v. 地-f B5 G embedded flash 只读存储器地面. vd33-f k6 p embedded flash 只读存储器电源供应. +3.3v ± 0.3v.

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