©2004 仙童 半导体 公司 fga25n120an rev. 一个
IGBT
FGA25N120AN
FGA25N120AN
一般 描述
employing npt 技术, 仙童’s 一个 序列 的 igbts
提供 低 传导 和 切换 losses. 这 一个
序列 提供 一个 解决方案 为 应用 此类 作 入门
加热 (ih), 发动机 控制, 一般 目的 反相器 和
uninterruptible 电源 供应 (ups).
特性
• 高 速 切换
• 低 饱和 电压 : v
ce(sat)
= 2.5 v @ i
C
= 25a
• 高 输入 阻抗
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
注释 :
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
热的 特性
标识 描述 FGA25N120AN 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 1200 V
V
GES
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C40 一个
集电级 电流 @ t
C
= 100
°
C25 一个
I
cm (1)
搏动 集电级 电流 75 一个
P
D
最大 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C 310 W
最大 电源 消耗 @ t
C
= 100
°
C 125 W
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.4
°
C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 40
°
C
/
W
产品
入门 加热, ups, 交流 &放大; 直流 发动机 控制 和 一般 目的 反相器.
G
C
E
G
C
E
G
C
E
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