©2002 仙童 半导体 公司 rev. a1, 12月 2002
irf650b / irfs650b
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
100
µ
s
1 ms
直流
100 ms
10 ms
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds(在)
※
注释 :
1. t
C
= 25
o
C
2. t
J
= 150
o
C
3. 单独的 脉冲波
I
D
, drain 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
I
D
, 流 电流 [a]
T
C
, 情况 温度 [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
µ
s
直流
10 ms
1 ms
100
µ
s
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds(在)
※
注释 :
1. t
C
= 25
o
C
2. t
J
= 150
o
C
3. 单独的 脉冲波
I
D
, drain 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
-100 -50 0 50 100 150 200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
注释 :
1. v
GS
= 10 v
2. i
D
= 16 一个
R
ds(在)
, (normalized)
流-源 在-resistance
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
-100 -50 0 50 100 150 200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. i
D
= 250
μ
一个
BV
DSS
, (normalized)
Drain-源 损坏 voltage
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
典型 特性
(持续)
图示 9-1. 最大 safe 运行 范围
为 irf650b
图示 10. 最大 流 电流
vs 情况 温度
图示 7. 损坏 电压 变化
vs 温度
图示 8. 在-阻抗 变化
vs 温度
图示 9-2. 最大 safe 运行 范围
为 irfs650b
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