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注释 在 使用
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振动 描述
请 使用 这个 ic 在里面 这 陈述 最大 比率. 运作 在之外 这些 限制 将 导致 degrading 或者 永久的
损坏 至 这 设备.
当 一个 电阻 是 连接 在 这 v
在
管脚 和 这 输入 和 cmos 输出 配置, 振动 将 出现 作
一个 结果 的 电压 drops 在 r
在
如果 加载 电流 (i
输出
) exists. ( 谈及 至 这 振动 描述 (1) 在下 )
当 一个 电阻 是 连接 在 这 v
在
管脚 和 这 输入 和 cmos 输出 配置, irrespective 的 n-ch
输出 配置, 振动 将 出现 作 一个 结果 的 通过 电流 在 这 时间 的 电压 释放 甚至 如果 加载 电流
(i
输出
) 做 不 exist. ( 谈及 至 这 振动 描述 (2) 在下 )
和 一个 电阻 连接 在 这 v
在
管脚 和 这 输入, 发现 和 释放 电压 将 上升 作 一个 结果 的 这 ic's
供应 电流 流 通过 这 v
在
管脚.
在 顺序 至 stabilise 这 ic's 行动, 请 确保 那 v
在
管脚's 输入 频率's 上升 和 下降 时间 是 更多 比
一些
µ
秒 / v.
请 使用 n-ch 打开 drains 配置, 当 一个 电阻 r
在
是 连接 在 这 v
在
管脚 和 电源 源.
在 此类 具体情况, 请 确保 那 r
在
是 较少 比 10k
Ω
和 那 c 是 更多 比 0.1
µ
f.
(1) 输出 电流 振动 和 这 cmos 输出 配置
当 这 电压 应用 在 在 rises, 释放 行动 commence 和 这 探测器's 输出 电压 增加. 加载
电流 (i
输出
) 将 流动 在 r
L
. 因为 一个 电压 漏出 ( r
在
x i
输出
) 是 生产 在 这 r
在
电阻, located 在 这
输入 (在) 和 这 v
在
管脚, 这 加载 电流 将 流动 通过 这 ic's v
在
管脚. 这 电压 漏出 将 也 含铅的 至 一个 下降 在 这
电压 水平的 在 这 v
在
管脚. 当 这 v
在
管脚 电压 水平的 falls 在下 这 发现 电压 水平的, 发现 行动
将 commence. 下列的 发现 行动, 加载 电流 流动 将 cease 和 自从 电压 漏出 在 r
在
将 disappear,
这 电压 水平的 在 这 v
在
管脚 将 上升 和 释放 行动 将 begin 在 又一次.
振动 将 出现 和 这个 " 释放 - 发现 - 释放 " repetition.
更远, 这个 情况 将 也 呈现 通过 意思 的 一个 类似的 mechanism 在 发现 行动.
(2) 振动 作 一个 结果 的 通过 电流
自从 这 xc61c 序列 是 cmos ic
S
, 通过 电流 将 流动 当 这 ic's 内部的 电路 切换 运作
( 在 释放 和 发现 行动 ). consequently, 振动 是 有责任 至 出现 作 一个 结果 的 drops 在 电压 在 这
通过 电流's 电阻 (r
在
) 在 释放 电压 行动. ( 谈及 至 图解 2 )
自从 hysteresis exists 在 发现 行动, 振动 是 unlikely 至 出现.
通过
图解 1: 振动 在 relation 至 输出 电流 图解 2: 振动 在 relation 至 通过 电流
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