UTRON
UT6264C
rev. 1.4
8k x 8 位 低 电源 cmos sram
utron 技术 公司 P80028
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based 工业的 park, hsinchu, taiwan, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
5
定时 波形
读 循环 1
(地址 控制)
(1,2)
t
RC
t
AA
数据 有效的
地址
Dout
t
OH
t
OH
previous 数据 有效的
读 循环 2
(
CE
和
CE2
和
OE
控制)
(1,3,4,5)
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OHZ
t
CLZ
t
OH
t
OLZ
高-z
数据 有效的
高-z
t
CHZ
地址
CE2
Dout
CE
OE
注释 :
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2.设备 是 continuously 选择
OE
=低,
CE
=low
,
CE2=high
.
3.地址 必须 是 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
CE
=low
,
ce2=高; 否则 t
AA
是 这 限制的 参数.
4.t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和 t
OHZ
是 指定 和 c
L
=5pf. 转变 是 量过的 500mv 从 稳步的 状态.
5.在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
CHZ
是 较少 比 t
CLZ
, t
OHZ
是 较少 比 t
OLZ
.
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